42對(duì)棒環(huán)形布棒還原爐能量耗散研究

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摘 要：由于無(wú)法對(duì)大型還原爐環(huán)狀硅棒排布方式對(duì)能耗的影響做出準(zhǔn)確判斷，對(duì)42對(duì)棒西門(mén)子多晶硅還原爐進(jìn)行仿真模擬計(jì)算，建立兩種環(huán)狀硅棒布棒方式（三環(huán)排布、四環(huán)排布）的還原爐模型。通過(guò)對(duì)還原爐的爐行為及棒行為分析發(fā)現(xiàn)，硅棒直徑加大能耗也會(huì)相應(yīng)加大，且這種變化受爐內(nèi)流場(chǎng)和溫度場(chǎng)共同影響；同時(shí)，還原爐內(nèi)內(nèi)環(huán)硅棒輻射能耗隨硅棒直徑的增大呈先增大后減小的變化趨勢(shì)，而排列在外環(huán)的硅棒輻射損耗則隨硅棒直徑的增大而不斷增大。（剩余10292字）