一種低耦合電容的高壓SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)隔離電源設(shè)計(jì)

打開(kāi)文本圖片集

摘 要：高壓SiC MOSFET更快的電壓變化率[dv/dt]，導(dǎo)致其驅(qū)動(dòng)遭受更嚴(yán)重的共模干擾，而現(xiàn)有高隔離電壓驅(qū)動(dòng)電源大多又存在耦合電容高、共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）能力弱、轉(zhuǎn)換效率低等問(wèn)題，因此該文設(shè)計(jì)一種兼具高隔離電壓、高轉(zhuǎn)換效率的低耦合電容驅(qū)動(dòng)隔離電源。首先，基于有源鉗位反激變換器，提出一種驅(qū)動(dòng)隔離電源耦合電容等效簡(jiǎn)化解析模型，并通過(guò)仿真、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證解析模型可行性；其次，基于該模型分析耦合電容影響因素及其優(yōu)化方法，為低耦合電容的驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)提供參考；最后，通過(guò)實(shí)驗(yàn)評(píng)估所提低耦合電容高壓SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)隔離電源性能。（剩余15983字）