2</sub>O<sub>2</sub>) 合成策略。然而,受限于光催化材料的量子效率、光吸收能力及高昂材料成本, H<sub>2</sub>O<sub>2</sub> 的合成效率仍需提升。為解決上述問題,本研究設(shè)計并合成了銦(In)摻雜的多孔氮化碳 (In-g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> )光催化材料,并探討了其在可見光照射下直接合成 H<sub>2</sub>O<sub>2</sub> 的光催化性能。結(jié)果顯示,經(jīng)過優(yōu)化,所得 In-g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub> 的光催化生成 H<sub>2</sub>O<sub>2</sub> 速率為 450.28μmol/(g?h) ,相較未摻雜氮化碳 <img src="/qkimages/cb51/cb51202504/cb5120250404-1-l.jpg" with="69px" style="vertical-align: middle;"> ,活性提高了3.12倍。結(jié)合實驗表征與數(shù)據(jù)分析,揭示了 <img src="/qkimages/cb51/cb51202504/cb5120250404-2-l.jpg" with="14px" style="vertical-align: middle;"> 摻雜有效促進了材料中的光生載流子的分離效率;同時,通過引入模板調(diào)控材料的微納結(jié)構(gòu),顯著提高了光催化合成 H<sub>2</sub>O<sub>2</sub> 的性能。-龍源期刊網(wǎng)" />