2</sub>O<sub>3</sub> 中產(chǎn)生的輻照損傷區(qū)、輻照損傷缺陷及能量損失情況。通過仿真發(fā)現(xiàn)，質(zhì)子的能量和入射角度會極大地影響輻照損傷區(qū)，產(chǎn)生的空位缺陷隨著入射質(zhì)子能量的增加先升高，后降低，但當入射質(zhì)子的能量為 150keV 時，產(chǎn)生的空位缺陷最多；入射質(zhì)子與靶材原子發(fā)生相互作用時產(chǎn)生的電離能損比例遠遠高于反沖原子產(chǎn)生的，入射質(zhì)子和反沖原子產(chǎn)生聲子的能損比例隨質(zhì)子能量的升高而降低。-龍源期刊網(wǎng)" />

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質(zhì)子對 B-Ga2O3 的輻照損傷仿真

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中圖分類號：TN304.2 文獻標識碼：A文章編號：1007-9734（2025）03-0106-07

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半導體器件的發(fā)展是科技進步的重要推動力之一，為滿足高頻、高帶寬、大功率的工作環(huán)境需求，廣大科技工作者對半導體材料開展了大量研究1，其中關于 InP[2-3] ） GaN[4] 和 SiC[5-6] 等材料的研究已經(jīng)相對成熟。（剩余7603字）

試讀結(jié)束

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