1.5</sub>AI<sub>0.5</sub>Ge<sub>1.5</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>(LAGP) ,研究燒結溫度對LAGP顯微結構和電化學性能的影響規(guī)律,確定LAGP最佳的燒結工藝,即 400°C 預燒、 800° 燒結、保溫 <sup>4h</sup> 。最佳工藝下得到的LAGP的致密度為 95.2% ,室溫下離子電導率為 1.41×10<sup>-4</sup>Scm<sup>-1</sup> ,對其進行變溫交流阻抗測試, 100<sup>°</sup>C 下的離子電導率達到 1.13×10<sup>-3</sup>Scm<sup>-1</sup> ,活化能為 0.250eV 。-龍源期刊網" />