C離子對AlGaAs/InGaAs異質(zhì)結(jié)的輻照影響

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摘 要：基于SRIM軟件計算了不同能量的C離子在AlGaAs/InGaAs異質(zhì)結(jié)中的平均投影射程和輻照損傷區(qū)，仿真了能量為500keV、800keV、1100keV的C離子入射到AlGaAs/InGaAs異質(zhì)結(jié)中的能量損失情況，發(fā)現(xiàn)隨著入射離子能量的增加，電離能比例增加，非電離能比例降低，入射離子產(chǎn)生的電離能損遠(yuǎn)大于反沖原子產(chǎn)生的電離能損，反沖原子產(chǎn)生的聲子能損遠(yuǎn)多于入射離子產(chǎn)生的聲子能損；通過仿真還發(fā)現(xiàn)，當(dāng)C離子的能量為800keV時，輻照損傷區(qū)在異質(zhì)結(jié)處且在異質(zhì)結(jié)處產(chǎn)生的空位缺陷最多。（剩余6472字）