帶錐臺(tái)托盤KH₂PO₄晶體生長(zhǎng)與位錯(cuò)分布

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摘要：利用光學(xué)顯微鏡對(duì)采用錐臺(tái)托盤及傳統(tǒng)平托盤生長(zhǎng)的晶體進(jìn)行位錯(cuò)腐蝕觀察，發(fā)現(xiàn)錐臺(tái)托盤生長(zhǎng)的晶體上半部分位錯(cuò)分布與平托盤生長(zhǎng)的晶體相似，部分區(qū)域位錯(cuò)密度低于平托盤生長(zhǎng)的晶體。對(duì)于錐臺(tái)托盤生長(zhǎng)的晶體下半部分，其柱面位錯(cuò)缺陷很少，位錯(cuò)集中在與錐臺(tái)直接接觸的下錐面。下錐面的存在阻止了柱面底部新位錯(cuò)的形成，為柱面生長(zhǎng)提供了更好的生長(zhǎng)條件。（剩余11830字）