°</sup><sup>c</sup> /W降至 0.08<sup>°</sup>C/W 。加熱功率 >3W 后，相變換熱性能逐漸降低，熱阻不斷變大。本文研究可以解決大尺寸和高熱流密度芯片封裝熱問(wèn)題。-龍?jiān)雌诳W(wǎng)" />

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基于相變傳熱的低結(jié)殼熱阻封裝技術(shù)研究

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中圖分類號(hào)：TN30

文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，集成電路芯片的熱問(wèn)題逐漸嚴(yán)重。芯片溫度升高加劇了熱電子效應(yīng)，提高了熱應(yīng)力，增加了IC芯片失效的風(fēng)險(xiǎn)[1-2]。熱界面材料（ThermalInterfaceMaterial，TIM）廣泛應(yīng)用于封裝中，能夠優(yōu)化熱接觸電阻。但是，市面上最好的TIM有效導(dǎo)熱系數(shù)約為5W/（m·K）\~10W/( m?K )，遠(yuǎn)低于典型配套部件的導(dǎo)熱系數(shù)。（剩余5515字）

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