我國首顆15.24 cm氧化鎵單晶成功制備

日前，中國電科46所成功制備出我國首顆15.24 cm氧化鎵單晶，達到國際最高水平。氧化鎵是新型超寬禁帶半導體材料，擁有優(yōu)異的物理化學特性，在微電子與光電子領域均擁有廣闊的應用前景。但因具有高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。

據(jù)了解，中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場設計出發(fā)，成功構建了適用于15.24 cm氧化鎵單晶生長的熱場結構，突破了15.24 cm氧化鎵單晶生長技術，具有良好的結晶性能，可用于15.24 cm氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國氧化鎵材料實用化進程和相關產(chǎn)業(yè)發(fā)展。（剩余92字）