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磁控濺射制備碳化硼薄膜的結(jié)構(gòu)與成分分析

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摘要：近年來國際上3He 資源的短缺造成了基于3He 的中子探測器高昂的成本，而以碳化硼薄膜作為中子轉(zhuǎn)換層的硼基中子探測器逐漸成為了最有前景的替代方案。通過直流磁控濺射制備了 Ti/B4C 多層膜，并使用透射電子顯微鏡（TEM）、飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（ToF-SIMS）、X 射線光電子能譜（XPS）等手段對薄膜的結(jié)構(gòu)與成分進(jìn)行表征。（剩余9100字）

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