基于開關(guān)瞬態(tài)振蕩過程的半導(dǎo)體器件輸出結(jié)電容測量方法研究

打開文本圖片集

摘  要：

半導(dǎo)體器件輸出結(jié)電容隨電壓的升高非線性變化。為準(zhǔn)確提取高壓工況下輸出結(jié)電容，提出一種基于開關(guān)瞬態(tài)振蕩過程的半導(dǎo)體器件輸出結(jié)電容測量方法。首先，探討器件關(guān)斷瞬態(tài)激發(fā)的高頻振蕩特征與結(jié)電容的數(shù)學(xué)關(guān)系，并形成對應(yīng)的測量步驟。其次，從寄生電感、寄生電阻2個(gè)方面對影響精度的因素進(jìn)行討論。（剩余8102字）