原子層沉積設(shè)備控制系統(tǒng)設(shè)計

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摘 要 以工控機(jī)與數(shù)字量輸入輸出板卡為基礎(chǔ)，設(shè)計原子層沉積設(shè)備控制系統(tǒng)。采用工控機(jī)串行通信端口實現(xiàn)真空計、流量計、溫度計等數(shù)據(jù)采集與控制。在N型單晶硅基底表面氧化鋁薄膜生長測試中，生長300周期氧化鋁薄膜平均厚度為33.84 nm，非均勻性為0.36%，生長速率1.13 ?/cycle，達(dá)到氧化鋁工藝標(biāo)準(zhǔn)。（剩余6515字）