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Ga2O3/p-GaN異質結自供電日盲紫外光探測器的制備與光電性能研究

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摘      要：采用水熱法在p-GaN襯底上生長Ga2O3納米棒陣列，構建了Ga2O3/p-GaN異質結自供電日盲紫外光探測器。首先對異質結的形貌和結構性能進行了研究，并進一步對異質結紫外光探測器的伏安特性和紫外光探測性能進行了探索。結果表明在0 V偏壓和254 nm紫外光照下，器件表現(xiàn)出明顯的自供電日盲紫外光響應，響應度為718.8 mA/W，并具有良好的穩(wěn)定性和重復性。（剩余6068字）

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