MoS₂單晶薄膜的制備及生長(zhǎng)機(jī)制研究

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摘要：

通過(guò)研究二維MoS2薄膜的制備工藝參數(shù)以及生長(zhǎng)規(guī)律，為過(guò)渡金屬硫化物薄膜的制備工藝提供技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。采用化學(xué)氣相沉積法，以MoO3和S粉為前驅(qū)體，通過(guò)調(diào)控載氣流速、保溫時(shí)間和MoO3的質(zhì)量，制備一系列MoS2薄膜。利用光學(xué)顯微鏡、拉曼光譜儀、光致發(fā)光光譜儀、原子力顯微鏡等測(cè)試設(shè)備對(duì)MoS2薄膜的層數(shù)和結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征；分析了工藝參數(shù)對(duì)MoS2薄膜的影響，探索了中心成核的生長(zhǎng)機(jī)制。（剩余11466字）