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蘭州大學物理科學與技術(shù)學院教授田永輝團隊與澳大利亞皇家墨爾本理工大學教授阿南·米切爾課題組、上海交通大學教授蘇翼凱課題組合作，在薄膜鈮酸鋰晶圓的表面沉積了一層氮化硅薄膜，通過成熟的CMOS兼容工藝刻蝕氮化硅層得到氮化硅—鈮酸鋰異質(zhì)脊型波導，解決了直接刻蝕鈮酸鋰薄膜帶來的波導側(cè)壁角度等問題，并基于該波導實現(xiàn)了高性能的模式和偏振復用器件。（剩余81字）
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