燒結(jié)助劑對氮化硅陶瓷熱導率影響的研究進展

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摘 要：隨著大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，以及集成電路在通訊、交通等領(lǐng)域的運用。對于基板材料的要求日益嚴苛，氮化硅陶瓷因為有著優(yōu)異的力學性能、介電性能和導熱性，是作為基板材料的重要候選材料之一。氮化硅陶瓷的理論熱導率高達200-320 W/（m·K），但是實際上高熱導率的氮化硅難以制成。隨著科研者將精力投入到氮化硅上，近年來氮化硅陶瓷的實際熱導率得到提高，但是與理論熱導率還有著不少差距。（剩余15583字）