本征氫化非晶硅薄膜厚度對(duì)其鈍化性能和HIT太陽(yáng)電池電性能的影響

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摘 要：以異質(zhì)結(jié)（HIT）太陽(yáng)電池的本征氫化非晶硅薄膜為研究對(duì)象，該HIT太陽(yáng)電池采用n型硅片作為晶硅襯底，其n型電子傳輸層（下文簡(jiǎn)稱為“n面”）為入光側(cè)，p型空穴傳輸層（下文簡(jiǎn)稱為“p面”）為背光側(cè)。首先研究了n面和p面本征氫化非晶硅薄膜的厚度對(duì)膜層鈍化性能和光透過(guò)率的影響，然后進(jìn)一步研究了n面和p面本征氫化非晶硅薄膜不同厚度匹配設(shè)計(jì)對(duì)HIT太陽(yáng)電池電性能的影響，并選出了最優(yōu)厚度匹配方案。（剩余11126字）