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DOI： 10.19911/j.1003-0417.tyn20230331.02 文章編號：1003-0417（2023）08-29-10
摘 要：針對n型TOPCon太陽電池采用PECVD技術時存在的磷烷耗量偏高、多晶硅磷活性摻雜濃度偏低和多晶硅層場鈍化效果偏差的問題，通過進行不同的原位摻雜非晶硅沉積工藝實驗和磷沉積退火實驗來尋找合適的解決方式。（剩余9792字）
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n型TOPCon太陽電池PECVD路線磷活性摻雜技術的改善研究
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