SiC晶片減薄用金屬間化合物黏結(jié)劑金剛石砂輪制備及性能

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摘要 與Si基材料相比，SiC因其導(dǎo)熱性好、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高和禁帶寬度大等特性成為芯片制造的理想基底材料。但SiC晶片莫氏硬度高達(dá)9.5，磨削困難。實(shí)現(xiàn)SiC晶片的減薄加工，降低加工成本，提高SiC晶片的加工質(zhì)量，成為半導(dǎo)體行業(yè)亟待解決的問(wèn)題。采用Cu3Sn和Cu6Sn5金屬間化合物為黏結(jié)劑，制備面向SiC晶片粗磨和精磨減薄的金剛石砂輪。（剩余17081字）