腐敗希瓦氏菌4H鉻還原機(jī)制的探究

打開文本圖片集

摘要：本文為探究腐敗希瓦氏菌4H還原Cr（VI）的機(jī)制，采用掃描電鏡（SEM）、傅里葉紅外光譜（FTIR）、X射線光電子能譜（XPS）、電化學(xué)測試等方法進(jìn)行表征。結(jié)果表明腐敗希瓦氏菌4H還原Cr（VI）的機(jī)制主要與微生物的代謝和電子傳遞能力有關(guān)。通過XPS分析發(fā)現(xiàn)細(xì)菌在對(duì)Cr（VI）的還原過程中，菌體表面有Cr（VI）和Cr（III）兩種形態(tài)存在，進(jìn)一步證明該菌通過還原方法去除六價(jià)鉻；掃描電鏡結(jié)果顯示，在六價(jià)鉻脅迫下細(xì)菌表面無明顯破損，菌體形態(tài)由短桿型變成了長桿型，說明該菌對(duì)Cr（VI）具有很強(qiáng)的耐受性；傅里葉紅外光譜結(jié)果顯示隨著初始Cr（VI）濃度的增加，羥基、羧基、酰胺和磷酸基團(tuán)所代表的特征峰強(qiáng)度也有明顯的增強(qiáng)；細(xì)菌電子傳遞性能測試以及電化學(xué)測試結(jié)果顯示該菌具有很強(qiáng)的電子傳遞能力。（剩余11643字）