基于各向異性界面的深納米尺度電磁邊界條件

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摘要以各向異性介質(zhì)所構(gòu)成的界面為基礎(chǔ)構(gòu)建了光學(xué)參數(shù)漸變的過(guò)渡界面模型；利用積分形式麥克斯韋方程組，同時(shí)引入了6個(gè)反映過(guò)渡區(qū)域電磁場(chǎng)量變化情況的界面響應(yīng)函數(shù)，并經(jīng)推導(dǎo)獲得了適用于深納米尺度的電磁邊界條件.依據(jù)麥克斯韋方程組及材料本構(gòu)關(guān)系，闡明了界面響應(yīng)函數(shù)的物理意義；提出了與過(guò)渡界面模型等效的突變各向（剩余11916字）