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摘 要： 用磁控濺射在單晶硅基底上沉積了（FeCoCrNiAlRe）Ox高熵氧化物陶瓷類薄膜，并探究不同O含量對在700 ℃退火溫度下對Cu-Si互擴散的阻擋能力。采用SEM掃描電鏡、EDS能譜儀、XRD衍射儀對薄膜進行表征。結果表明：（FeCoCrNiAlRe）Ox高熵氧化物薄膜質(zhì)地較為致密，元素分布均勻，不同氧含量下制備的高熵氧化物薄膜均為非晶結構，且對Cu-Si的擴散有較好的阻擴散能力。（剩余9946字）
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O含量對(FeCoCrNiAlRe)Ox高熵氧化物擴散障性能的影響
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