Cu²⁺離子印跡復(fù)合膜的制備及性能研究

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摘要：以商品化的離子交換膜為研究對(duì)象，通過(guò)離子印跡技術(shù)將模板離子Cu2+印跡到離子膜表面，再經(jīng)過(guò)環(huán)氧氯丙烷交聯(lián)、HCl洗脫后，在外界電場(chǎng)的推動(dòng)下制備得到Cu2+離子印跡復(fù)合膜。結(jié)果顯示，隨著PEI溶液濃度的增加、電沉積時(shí)間的增長(zhǎng)、電流的增大，膜上沉積的PEI量呈線性上升趨勢(shì)；膜表面PEI沉積量增多，改性印跡膜對(duì)Cu2+的通量增加，Cu/Zn選擇性降低，當(dāng)PEI濃度為5 g/L時(shí)，Cu/Zn逐漸趨于平衡；在0.03 mol/L的銅鋅混合液中，對(duì)比印跡膜和非印跡膜對(duì)Cu2+的選擇透過(guò)性，印跡膜Cu/Zn為1.787，其選擇性好于非印跡膜。（剩余5692字）